La voie de l'intégration empruntée par les constructeurs a créé une évolution du procédé et de la physique des transistors. A une échelle submicronique, la dégradation de la performance des transistors, devient un obstacle majeur à l'intégration. Les transistors multi grille peuvent être potentiellement considérés comme une solution à ce problème. Dans cet axe, ce livre traite des performances des structures multi grille, et décrit l'évolution de la modélisation des transistors MOSFET au fil des avancées technologiques et physiques. Une synthèse nous a permit de choisir la structure la plus performante et le type de modélisation le plus avantageux, une structure verticale à grille cylindrique (VSG) à dopage graduel incluant une couche à haute permittivité (high- ), modélisée analytiquement en régime de sous seuil. La fiabilité du modèle dérivé est discutée en s'appuyant sur les résultats de simulations numériques obtenus à l'aide du progiciel ATLAS.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
Avec la collection "La BD en classe", le Syndicat national de l’édition propose des supports pédagogiques autour de thématiques précises
Découvrez les auteurs, autrices et libraires qui accompagneront le président du jury Jean-Christophe Rufin !
Une plume vive, des héros imparfaits et une jolie critique de notre société
Sénèque écrit une ultime lettre, alors qu'il a été condamné à mort par celui dont il fut le précepteur, conseiller, et ami : l'empereur Néron
