Avec la collection "La BD en classe", le Syndicat national de l’édition propose des supports pédagogiques autour de thématiques précises
Résumé: Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées. Les mesures de bruit basse fréquence sont effectuées en fonction de la polarisation sur des transistors présentant différents paramètres technologiques (surface d'émetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modéliser le bruit en 1/f associé au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les paramètres SPICE utilisés dans les modèles de simulation électrique des circuits. Un facteur de mérite reliant les performances fréquentielles et les performances en bruit BF a été proposé. Une étude de l'influence du stress électrique sur des transistors Si/SiGe a été effectuée pour localiser les défauts et les sources de bruit associées.
Il n'y a pas encore de discussion sur ce livre
Soyez le premier à en lancer une !
Avec la collection "La BD en classe", le Syndicat national de l’édition propose des supports pédagogiques autour de thématiques précises
Découvrez les auteurs, autrices et libraires qui accompagneront le président du jury Jean-Christophe Rufin !
Une plume vive, des héros imparfaits et une jolie critique de notre société
Sénèque écrit une ultime lettre, alors qu'il a été condamné à mort par celui dont il fut le précepteur, conseiller, et ami : l'empereur Néron